近年来,关于铜氧化物高温超导材料物理性质受到杂质影响的研究,逐渐成为高温超导机理研究的热点之一。本文对铜氧化物高温超导材料中掺入的位于CuO2平面外的单个非磁性杂质和CuO2平面内的两个非磁性杂质对系统电子局域态密度及相关物理性质的影响进行了较为系统地研究。方法是从t-J-U模型出发,利用Gutzwiller平均场近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论。在第二章里我们首先介绍了可以有效描述CuO2平面内基本物理过程的理论模型,并介绍了可以较好地处理电子强关联体系问题的Gutzwiller近似理论以及研究非均匀系统的BdG方程。在第三章里我们应用Gutzwiller近似理论和BdG方程讨论了位于CuO2平面外的单个非磁性杂质对铜氧化物高温超导材料电子局域态密度的影响：从t-J-U模型出发讨论了在不同掺杂浓度时位于CuO2平面外的单个非磁性杂质对系统电子局域态密度的影响。结果我们发现,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,在杂质点附近平面外的非磁性杂质使超导能隙变小,但是并没有明显破坏超导。而在杂质点附近由于平面外的杂质势没有被有效屏蔽而导致CuO2平面内电子的分布在纳米尺度上存在着明显的不均匀性。在第四章我们应用Gutzwiller近似理论和BdG方程讨论了位于CuO2平面内的两个非磁性杂质对系统电子局域态密度及相关物理性质的影响。我们发现,在远离杂质点的位置,电子局域态密度和电子分布等物理量依然保持均匀系统时的结果；当掺入的两个非磁性杂质相距一个或两个格点距离时,超导关连峰受到明显抑制,并且零能量峰劈裂为两个峰。当两个杂质相邻时,零能量诱导峰消失,而超导关连峰和远离杂质点时相比没有明显变化。