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SiC材料体系是一种性能良好的吸波剂，因为本身性质稳定、吸波性能良好、能够耐高温，受到科研工作者的广泛关注。本论文主要制备了β-SiC纳米线，为了达到“多层”吸波的构想，并且提高其吸波性能，因而在其表面包覆一层Co单质，同时为了提高材料体系的高温稳定性，在最外层包覆一层非晶态SiO2，并讨论了SiC/SiO2/Co/SiO2整个体系的吸波性能。本论文通过改变不同碳源和烧结温度制备β-SiC纳米线，确定了最佳的制备β-SiC纳米线工艺：以碳纳米管、硅粉、SiO2为原料，用氩气作保护气，在1400℃烧结2h，制备出β-SiC纳米线，表征了制备产物的形貌和结构。通过改变化学镀过程中pH和化学镀时间，在β-SiC纳米线表面化学镀Co，确定了最佳的化学镀Co条件：pH为89、化学镀时间为5min，实现了在β-SiC/SiO2纳米线表面包覆均匀的Co镀层并表征SiC/SiO2/Co的结构和形貌。最终合成出的β-SiC/SiO2/Co/SiO2纳米材料目的是为了提高β-SiC/SiO2/Co纳米复合材料的高温稳定性能，在三元复合材料表面包覆一层SiO2。分别讨论了β-SiC/SiO2/Co和β-SiC/SiO2/Co/SiO2两种材料从室温到1000℃的TG-DTA曲线，证明β-SiC/SiO2/Co/SiO2的高温稳定性能较好；讨论了β-SiC纳米线、β-SiC/SiO2、β-SiC/SiO2/Co和β-SiC/SiO2/Co/SiO2纳米复合材料的吸波性能，得出最终合成的β-SiC/SiO2/Co/SiO2纳米材料的吸波性能最好，最小反射损耗为-60dB（标准为-10dB），反射损耗低于-10dB的吸收宽度为6.6GHz。