电镀法和CO2反应法制备氢化锆表面氢渗透阻挡层的研究

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在核反应堆中,为了对中子进行慢化需要采用慢化剂。氢化锆因比重较小(-5.6g/cm3),氢含量高(H/Zr原子比可达1.80以上),使用温度高(<600℃),小的中子截获面和良好的导热性以及具有较高的高温强度等优点而成为一种理想的空间堆或小型反应堆的慢化剂材料,并开始在重量轻、体积小的反应堆及液态金属冷却的热中子反应堆中付诸应用。 将氢化锆用于反应堆,必须解决的一个关键问题就是它的工作温度。作为中子慢化剂,氢化锆的工作温度为650~750℃,在此温度下,H/Zr原子比大于1.8的氢化锆的分解压远远高于一个大气压,氢化锆中的氢将很容易析出。氢的析出一方面增大了包壳中的压力;另一方面则使氢化锆的H/Zr原子比减小(即氢含量降低)从而降低其中子慢化能力。因此必须使氢化锆结构材料具有尽可能低的氢渗透率。国内外的研究资料表明为了达到降低氢渗透率的目的,通常在结构材料表面建立氢渗透阻挡层。 本论文研究的主要内容就是采用电镀Cr-C的方法和CO2反应法在氢化锆表面建立氢渗透阻挡层。(1) 研究了在氢化锆表面制备氢渗透阻挡层的工艺,以及电镀时间、电镀的电流密度、试样的预处理等工艺参数对制备氢渗透阻挡层的影响。(2) 研究了通过加热氢化锆、高纯二氧化碳和磷,在设定的工艺参数下,通过反应气体在氢化锆表面吸附、离解,然后通过元素扩散和反应生成致密的膜层。(3) 研究了氢渗透阻挡层在700℃的阻氢性能。使用扫描电子显微镜(SEM)观察了氢渗透阻挡层与基体的结合情况;使用了X射线光电子能谱仪(XPS)对氢渗透阻挡层表面元素价态
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