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铁电/半导体材料复合结构是介电/半导体人工复合结构中的一种,由于这种复合结构会使得界面处的能带、结构等发现变化,从而产生新的物理特性。但是铁电/半导体易在界面处相互扩散形成电荷捕获,为了减小这种现象对器件性能的影响,目前常在铁电薄膜与半导体之间增加一层的绝缘层,也称为缓冲层,形成铁电薄膜/缓冲层/半导体结构。因此,铁电材料和缓冲层成为当今学术界炙手可热的研究对象。本文通过实验与理论相结合的手段,重点研究了退火温度对铁电材料(Bi,Nd)4Ti3O12质量的影响,并基于密度泛函理论,运用第一性原理计算