近些年电子信息行业的快速发展对印制线路板(PCB)产生了巨大的需求。化学镀金工艺是PCB制造流程中重要的表面处理技术,为线路版提供了具有优异导电性和耐腐蚀性的保护层。传统化学镀金体系为氰化物镀金体系,该体系具有镀液稳定性高、镀金产品外观光亮和镀层均匀性好等优点,但由于其镀液中存在的CN-对人体和环境会产生巨大的危害,因此需要新型的无氰镀金体系应用于PCB生产过程中。针对有氰镀金体系存在的环境危害问题,本论文研究首先以HAuCl4为母体原料,碘和硫脲(以下简称Tu)为非氰配体通过选择还原法和配位交换法合成了一种新型无氰亚金配合物,并对该无氰亚金配合物进行红外光谱分析、紫外光谱分析、热重分析、元素分析和电导率测定,确定了亚金配合物分子式;然后,对中间体化合物AuI和目标产物的合成进行试验探索,得出了制备上述两种物质的最佳工艺条件;最后,设计正交试验,筛选出该亚金配合物化学镀金体系的最佳工艺条件,并对该镀金工艺以及其镀金品质进行综合分析,以期获得新型镀金体系应用于镀金行业清洁生产。具体研究结果如下:(1)本研究合成了新型亚金配合物并对其进行分析与表征。根据其红外光谱分析、紫外光谱分析、热重分析、元素分析和电导率测定结果确定该配合物化学式为[Au(Tu)2]I,摩尔导电率为9.6×10-4 S·m2·mol-1。对目标产物[Au(Tu)2]I合成试验结果有影响的工艺参数关系为:浓缩比>浓缩温度>硫脲与金元素摩尔比>硫脲浓度。实验中最佳合成条件为:硫脲浓度50mg/mL,硫脲与金摩尔比5:1,浓缩温度45℃,浓缩比4.5。(2)中间体AuI合成试验结果表明对AuI合成影响的工艺参数关系为:操作温度>氯金酸溶液浓度>碘化钾溶液浓度。试验中最佳合成条件为:实验操作温度5℃,氯金酸溶液浓度30 mg/mL,碘化钾溶液浓度25 mg/mL。(3)以配合物[Au(Tu)2]I为金源的化学镀金试验结果表明,在该镀金体系下镀金性能的影响因素关系为:金盐浓度>镀金液温度>施镀时间>络合剂硫脲浓度>镀液pH值。实验室条件下中最佳工艺条件为:金盐浓度3 g/L,镀金液温度55℃,pH值为3.5,络合剂硫脲浓度为12.5 g/L,施镀时间20 min。在该条件下,镀金层色泽好,结合力佳,镀层厚度稳定在0.11μm,扫描电镜观察镀层,镀层致密,SO2气体耐腐蚀性测试合格,可焊性测试合格。本研究采用最佳条件下所合成的无氰亚金配合物进行化学镀金工艺研究,在实验条件下本研究化学镀金工艺镀层基本可以达到成熟工艺的水平,与现有工艺的工艺参数比较,本研究无氰化学镀金工艺具有便于控制镀金层厚度、品质以及生产能耗低的优点。同时在生产过程中,本研究无氰镀金工艺与传统镀金工艺相比所用化学品对环境影响更小,反应废物更易处理达到排放标准,具有良好的工业应用价值和前景。