随着工业和日常生活向空气中排放的污染气体越来越多,新型高性能低功耗的气敏传感器越来越受到人们的关注。本文主要针对多孔硅基氧化钨气敏薄膜以及传感器的电学特性和气敏特性进行了研究。首先,通过双槽电化学腐蚀法制备介孔硅基底。选取40,60和80mA/cm²三种腐蚀电流密度,得到不同孔隙结构参数的介孔硅样品,对样品进行了孔隙率、SEM、I-V特性等各种测试,分析了介孔硅的材料参数、微观形貌和电学特性等。用静态配气法对一定浓度的NH₃、C₂H₅OH和NO₂进行了气敏特性测试。结果显示:腐蚀电流密度为80mA/cm²的介孔硅样品具有较好的气敏特性。随后,在制备的介孔硅基底上溅射氧化钨薄膜以及Pt电极,形成介孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器。通过对氧化钨薄膜溅射时间的选取,得到不同膜厚的样品,对样品进行了SEM、阻温特性等各种测试,分析了介孔硅基氧化钨薄膜的材料参数、微观形貌和电学特性等。用静态配气法对一定浓度的NH₃和NO₂进行了气敏特性测试。研究表明:溅射氧化钨薄膜的时间为5分钟的样品具有较好的气敏特性。虽然器件在常温下具有较高的灵敏度,但器件的响应较慢,迫切需求制备一种大孔硅基底,以制备更高性能的大孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器。最后,实验提出了大孔硅的制备方法,并对大孔硅的表面形貌,腐蚀深度,孔隙率和气敏特性进行了测试,并且测试了大孔硅基氧化钨气敏薄传感器的气敏特性,为下一步制备更高性能的多孔硅基氧化钨气敏传感器奠定了基础。