【摘 要】
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In(Ga)As/GaAs自组织量子点激光器是下一代半导体激光器的代表之一.该文系统讨论了它的结构、制备、性能和优化,以及一些相关的物理机制.(1)研究了在GaAs部分覆盖的InAs岛中
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In(Ga)As/GaAs自组织量子点激光器是下一代半导体激光器的代表之一.该文系统讨论了它的结构、制备、性能和优化,以及一些相关的物理机制.(1)研究了在GaAs部分覆盖的InAs岛中引入生长停顿的影响;(2)系统分析了实际量子点激光器的性能;(3)通过在退火低温GaAs缓冲层上外延InAs量子点,利用高密度的As沉淀颗粒作为Stressor显著地提高量子点的面密度;(4)对InAs/GaAs量子点超晶格在不同温度下快速退火的性质研究表明,随退火温度升高,PL谱发光峰能量强烈蓝移、半高全宽急剧减小,X射线摇摆曲线高指数卫星峰强度减弱.
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