该文系统地研究是超短脉冲电流对Fe<,78>Si<,9>b<,13>非晶合金结构缺陷运动的影响.超短脉冲电流处理前后的正电子湮没寿命谱、穆斯堡尔谱及电阻测量的研究结果表明,类单空位型缺陷的迁移和湮没需要一定的激活能,超短脉冲电流处理可以促进结构缺陷的迁移和湮没,直至发生单相纳米晶化.超短脉冲电流处理过程中电子运动速度的周期性变化使非晶中空位型结构缺陷受到很大的推力作用,当这一推力作用足以克服能量势垒进行长程扩散时,则发生空位型结构缺陷的迁移,超过这一推力作用则结构缺陷的迁移和湮没会加剧,即超短电脉冲处理促进了结构缺陷的迁移和湮没.电脉冲参数对Fe<,78>Si<,9>b<,13>非晶合金结构缺陷影响的研究表明,随脉冲电流密度及脉冲频率的增加,电子对空位型结构缺陷的排斥作用增强,因此结构缺陷的迁移和湮没会加强.而超短脉冲作用时间对结构缺陷迁移和湮没的影响不大.