Ga-M-O系薄膜的制备和氧敏特性研究

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该文从无机盐溶胶-凝胶方法出发,合成了目前常用PVD方法制备的氧化镓高温n型半导体材料,并研究了其氧敏感特性,阻温特性和响应时间,同时合成了含镓系复合氧化物,并研究了相关特性,提出了类尖晶石结构材料氧敏特性模型.首先,实验以柠檬酸和三氯化镓为原料,以水为溶剂,制备得到了单一相的氧化镓薄膜,从而证实了氧化镓薄膜溶胶凝胶方法制备的可行性,并确定了溶胶配方,烧成制度,最佳成膜次数和氧化铝基片对薄膜的影响.结果表明,浓度为0.45M的溶胶,在氧化铝基片上涂覆,800℃预处理,800℃烧成,可以得到表面形貌较好的薄膜,就灵敏度而言,9次涂覆成膜得到的氧化镓薄膜具有最好的特性.其次,通过实验发现,氧化镓薄膜在900℃具有一定的氧敏特性,气氛从缺氧态向富氧态转化时,薄膜的响应时间为2.1s,从富氧态转化为缺氧态的响应时间为6.2.再次,研究了含镓系复合氧化物的溶胶-凝胶制备及特性,发现易变阶离子的引入,可引起此类尖晶石结构复合氧化物中的阳离子平衡扰动,因而影响到材料本身的氧敏特性:同样的温度800℃下,NiGa<,2>O<,4>、CoGa<,2>O<,4>和GaFeO<,3>薄膜材料,在λ=1附近,阻值突跃分别为2,2.5,1.3个数量级.最后,研究了GaFeO<,3>薄膜的溶胶凝胶制备工艺.
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