二类Dirac半金属NiTe2的生长和平面霍尔效应研究

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在凝聚态领域中,拓扑材料近十年取得了快速发展。从理论预言到实验验证,该领域取得了一系列的成果,丰富的拓扑材料为基础物理研究提供了很好的平台。笔者在攻取硕士学位期间,主要关注二类拓扑半金属材料的生长和输运测量,从中选取了二类Dirac半金属体系。在这个体系中,由于洛伦兹协变性被打破,导致Dirac锥在某一个动量方向严重倾斜,因此具有不同于第一类半金属的物理性质。笔者的工作主要是以新发现的二类Dirac半金属NiTe2材料作为平台,探究平面霍尔效应的起源。我们通过第一性原理计算了 NiTe2的能带结构,发现该材料是第二类Dirac半金属。通过助熔剂的方法合成了NiTe2材料,利用X射线衍射(XRD)和能量色散谱(EDS)表征手段验证了其基本性质。测量了该样品的de Haas-van Alphen振荡,找到了每个振荡频率对应的费米口袋。接着研究了该材料的平面霍尔效应,在以往的实验中这种效应的起源往往归因于拓扑材料中的手性反常。在该实验中,面内霍尔效应有180°的角度周期,在45°和135°达到极值,和理论公式相吻合。但通过深入分析面内各向异性磁电阻,笔者并没有探测到负磁电阻信号。另外,Pxx-Pyx的参数图展现了类似冲击波的样式,同时通过公式推导发现只要有面内各向异性磁电阻就可以观察到平面霍尔效应。这些证据都说明了在NiTe2中测到的平面霍尔效应来源于平庸的轨道磁电阻而不是拓扑材料中的手性反常。
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