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目的通过神经细胞电生理学实验,观察创伤性脑损伤(Traumatic brain injury,TBI)的严重程度与丘脑腹后内侧核(VPM)痛觉敏感神经元(PSN)的放电频率及次数的相关性。方法1.实验动物及分组:雄性Wistar大鼠40只,体重270-290g,购自山西医科大学实验动物中心,随机分成4组(其中TBI组分为轻、中、重三组,一组为假手术组),每组10只,分笼饲养,自由进食、水。2. TBI动物模型的建立:用Feeney法按自由落体致伤原理,制成一撞击装置(由军事医学科学院仪器厂加工),撞杆头端直径4.5mm,高2.5mm,外周导管高为40cm,保持90°垂直,每隔1㎝有一气孔,以防击锤下落时导管内空气压缩阻力的影响。20%乌拉坦腹腔注射(1.2mg·kg-1)麻醉满意后,将大鼠固定在脑立体定位仪上(ST-T型,日本成贸公司)。制作TBI模型时沿正中线切开头皮并剥离骨膜,切口长2cm,暴露双侧顶骨,使用牙科台式电钻(宁波医疗器械厂)于冠状缝后1.5mm,中线旁2.5mm处,左右分别钻一直径为5mm的圆形骨窗,保持硬脑膜完整,将撞杆头端置右侧骨窗处,击锤(重20g)沿外周导管分别从10cm、30cm高处自由落下冲击撞杆,造成右顶叶轻、中度脑挫伤,另用击锤(重40g)沿外周导管从25cm高处自由落下冲击撞杆,造成右顶叶重度脑挫伤,致伤冲击力分别为0.028N·s、0.048 N·s和0.088 N·s。TBI组按损伤程度分为轻、中、重三组。假手术组仅切开头皮,双侧顶骨开骨窗,不造成脑损伤。3. VPM核PSN放电的记录:对TBI前后大鼠丘脑腹后内侧核(VPM)痛觉敏感神经元(pain sensitive neuron,PSN)放电频率及次数进行记录。记录VPM核PSN放电时,采用美国FHC公司生产的金属记录电极,根据大鼠脑立体定位图谱,确定VPM的位置,进行记录。轻、中、重度TBI组及假手术组均采用右侧的骨窗作为打击致伤处,左侧的骨窗为记录电极插入处。结果假手术组、轻度TBI组、中度TBI组、重度TBI组的放电频率及次数的均数依次增加,经方差分析各组之间丘脑腹后内侧核的痛觉敏感神经元放电频率及次数存在统计学差异(P<0.01)。两两比较各组之间差异显著。结论本实验通过观察实验动物丘脑腹后内侧核(VPM)痛觉敏感神经元(PSN)在动物脑外伤后的电生理变化,初步显示:随着创伤性脑损伤程度的加重,其放电次数及频率呈现上升趋势。