热致延迟荧光(TADF)材料,由于能利用单重态和三重态激子而被广泛关注。热致延迟荧光材料的研究进展迅速,而关于器件结构设计和制备工艺的报道却很少。本文基于两种绿色热致延迟荧光材料4CzIPN和TXO-PhCz设计并制备一系列单发光层/双发光层器件,进而研究所得器件的发光过程。首先,对以4CzIPN为发光材料的电致发光器件进行优化,通过引入辅助发光层来提高器件的效率,最终获得高性能器件。所得器件的启亮电压为3.1 V,最大亮度为40571 cd/m~2,最大外量子效率达到17.8%,最大电流效率为53.79 cd/A,最大功率效率为50.61 lm/W。制得的器件效率衰减缓慢,当器件的发光亮度为1000 cd/m~2时,器件的电流效率为47.18 cd/A。然后,对以TXO-PhCz为发光材料的电致发光器件进行优化,通过选用不同的主体材料,并优化发光材料掺杂浓度与各功能层厚度来提高器件的综合性能。所获得性能最佳器件的启亮电压为3.1 V,最大亮度达到25611 cd/m~2,最大电流效率为47.91cd/A,最大外量子效率为13.8%,最大功率效率为45.76 lm/W。在亮度为1000 cd/m~2时,器件的工作电压仅4.3 V。