CaCu<,3>Ti<,4>O<,12>陶瓷的介电和内耗研究

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近来,体心立方类钙钛矿材料CaCu3Ti4O12(CCTO)引起了人们广泛的关注。CCTO陶瓷样品具有高达16000的相对介电常数,而单晶样品的相对介电常数值甚至可达80000,并且在100K-600K之间相对介电常数值基本不随温度变化;但在100K附近,介电常数值有3个量级的降低。不同于目前已知的由于软模效应的铁电体结构相变,在CCTO中并没有发现长程序结构变化:中子散射发现直到35K,该材料还是体心对称;而非极化样品的Raman散射也没发现任何暗示长程结构变化的展宽和分裂线。CCTO单晶光折射率的测量发现,低温下有振动异常,这暗示着晶胞内电荷重新分布。Subramanian等认为孪晶界导致了高介电;Sinclair等认为是外部势垒电容器贡献了高介电常数。然而,目前该材料的高介电物理机理仍不清楚。在这篇论文中,用介电和内耗方法对CCTO陶瓷进行研究,试图对其高介电的机理进行探讨。本论文主要工作如下: 1.在固相烧结方法中,研究了不同烧结温度对理想摩尔配比的CCTO陶瓷试样的影响。在1060℃烧结的理想摩尔配比的试样中,成功得到ε~105的CCTO陶瓷,并为研究Cu含量的影响,还在同样条件下,制备了Cu缺量10%的陶瓷(C16)。 2.测量了上述各种样品的介电常数随温度的变化。用SEM得到陶瓷样品的表面形貌,发现相比于其他理想摩尔配比的样品,C06具有较大、完整的晶粒,而且具有更大的相对介电常数,该样品介电弛豫峰的激活能为0.07eV,与报道结果相同。而在Cu缺量10%的C16样品弛豫峰激活能增加到0.14eV,同时该材料的相对介电常数下降了几个数量级,这为弛豫机理的探讨提供了一些实验基础。 3.基于上面获得的物理事实讨论了晶界效应,认为晶界虽然对高介电常数有贡献,但不是其主要原因。进一步,提出了一维偶极子链模型,认为偶极子间存在较强的相互作用,采用平均场近似初步计算出静电场下相对介电常数可达105,并且在100K-600K温度范围内不依赖于温度变化。同时从配分函数的非奇异性肯定了该材料没有结构相变。 4.首次用力学方法测量了高介电材料CCTO的内耗和杨氏模量随温度的变化关系。发现C06样品中存在力学损耗弛豫峰,同时其杨式模量有亏损变化。对于C16样品,除了也观察到弛豫峰外,还有其它力学损耗峰。这些损耗峰的机理有待进一步讨论。
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