无线产业在电子产品方面的改革和迅猛发展促使小型化高性能高集成度的毫米波集成电路(Millimeter-wave Integrated Circuit，MIC)市场化。目前，在毫米波单片集成电路(MMIC)方面，国内的研究主要集中在Ka波段，W波段的相关报道相对较少。本文正是基于截止频率高、噪声系数低的GaAs pHEMT开展了W波段接收机前端电路——低噪声放大器(LNA)和混频器(mixer)的级联设计。　　首先通过查阅大量的文献资料，总结了MMIC国内外的研究进展和近几年来发展成果。　　其次介绍了接收机以及LNA、mixer的工作原理及性能指标，对微带线、偏置电路和匹配电路等相关知识进行了详细地描述，对实现低噪声、高变频增益的LNA和mixer结构进行了归纳和分析，为本文电路设计奠定理论基础。　　然后基于微波仿真软件ADS(Advanced Design System)完成了工作频率为95GHz的W波段接收机前端芯片设计。低噪声放大器的设计采用了热pHEMT，其拓扑为三级级联结构，首先对pHEMT管进行直流扫描，得出其I-V特性曲线，根据工作点选取原则选出LNA的直流偏置点VDS=3V，VGS=0V，接着依次完成偏置电路、匹配电路的设计。混频器的设计基于漏极零偏置pHEMT(又称为冷管cold-pHEMT)模型，电路采用了二次谐波单平衡电阻型混频结构，本振信号通过一个Marchand巴伦分别输入两个cold-pHEMT的栅极，射频信号从两个管子的漏极输入，混频得到的中频信号经漏端输出后合成一路。这种方式的混频器栅端偏置在关断电压-0.4V附近，漏端无电压加载。　　在完成LNA和mixer电路设计后，将两个电路进行级联仿真，完成了版图设计，后仿真结果表明：在工作频率95GHz下噪声系数为4.8dB，增益为3.5dB，达到了预期的设计指标。