与CMOS兼容的新工艺设计

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将要引起第二次电子革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和显示驱动,本课题设计的智能功率集成电路是特别用于电子镇流器的。本文首先简述了智能功率集成电路的研究和发展,从中可以得出本设计的目的:功率集成电路中应将功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上,以及实现其目的的重要性和必要性。然后,回顾了半导体制造工艺的发展历程及三个代表工艺的主要特点及工艺流程。再者,根据陈星弼教授的两个美国专利U.S. 5,726,469 及U.S. 6,310,365 B1,并参考58所的2(m硅栅CMOS工艺流程,设计出了用于制造本智能功率集成电路的工艺流程b13,并利用TSUPREM4进行工艺模拟,证明了此工艺的可行性。结合工具tsuprem4及matlab,提取了适用于medici器件模拟的工艺参数。最后,利用cadence编制了本工艺的版图设计规则,包括DRC、ERC、EXT、LVS。
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