本文描述研究项目的工作原理及组成框图,论述了各单元电路的设计方法,给出了MMIC电路的拓扑结果及测试结果,分析了系统集成工艺、结构实现方法并给出系统集成后的测试结果。在本文中,采用GaAs PHEMT工艺研制出MMIC低噪声放大器、有源上混频放大器和有源下混频放大器。MMIC低噪声放大器工作频带宽、噪声低、平坦度好、功耗小,电源电压仅需3V。MMIC有源上混频放大器、有源下混频放大器采用差分对本振和共栅射频形式,并将补偿放大器与混频器结合在一起,具有较大的变频增益、高的隔离度、一致性好、可靠性高。采用SiGe BiCMOS工艺研制出雷达中频接收机芯片。该芯片内部包括：LNA低噪声放大器、镜像抑制混频器、VGA、PA功率放大器、峰值检测电路。实现了单片大规模、高密度集成。在专用芯片设计基础上,进行电讯、结构和工艺集成一体化设计,应用电磁兼容设计、宽带匹配设计、垂直过渡设计、多层基板和MCM组装技术,采用新型的IC器件式封装,研制出轻小型化宽带S波段接收机IC。接收机IC包括两级限幅低噪声放大、两次变频和中频放大,具有噪声低、增益高、动态大、一致性好、可靠性高的特点。在本项目研制中,本人负责微波专用集成电路方案论证、GaAs关键电路芯片设计,重点是对微波芯片、系统集成方法进行研究和设计。经过一年多的设计调试,技术指标达到设计要求,现已通过专家鉴定,取得了良好成效,整个项目研制达到了研制要求和预期的效果。