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氧化铟锡（ITO）是一种宽禁带、高掺杂的n型半导体，广泛应用于各种显示屏幕的透明电极中。大多数研究者都关注于在200～400℃的基底温度下制备多晶ITO薄膜，研究其工艺，优化其光学和电学性质。然而，针对便携式显示屏的应用来说，由于基材不耐高温，只能在低温下沉积ITO薄膜，所以本文分别采用射频和直流磁控溅射方法，使用高纯度（99.99％）的ITO陶瓷靶（wt.90％In2O3+wt.10％SnO2）靶材,在普通载玻片和有机材料聚对苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate, PET）上制备了ITO透明导电薄膜。
本文针对低温下沉积ITO薄膜的工艺条件进行了摸索。利用紫外可见分光光度计、四探针、X射线衍射仪对薄膜性能进行了表征。
1、用射频溅射方法在普通玻璃基片上制备ITO薄膜，详细讨论了不同工艺条件对薄膜的光学和电学性能的影响。通过实验得到最优工艺条件为基片温度110℃，氧流量0.06sccm，溅射功率60W,工作气压0.2Pa，靶基距为50mm。最优条件下透过率为80.27％，面电阻为35Ω/□。
2、选择上述实验中得到的低温下制备ITO薄膜的最优工艺条件，用射频磁控溅射方法在PET有机基底上镀制ITO薄膜。方阻36Ω/□和平均透过率77.83％。
3、采用直流磁控溅射方法与射频磁控溅射方法在低温下制备了ITO薄膜，并进行了对比研究，结果表明：所制备的ITO薄膜，无论是条件控制难易程度上还是所得薄膜的光电性能，射频磁控溅射方法均优于直流磁控溅射方法。
4、使用了一种简单的干涉膜厚测量方法测量了制备的ITO膜厚，并与探针轮廓仪的测量结果进行了对比。结果表明，这种测量厚度的方法简单可行，误差为几十纳米。
综上所述，本文利用射频磁控溅射方法在较低温度下制备了ITO薄膜，得到了透过率为80.27％，面电阻为35Ω/□的优质薄膜。并尝试了在柔性基底上镀膜，也获得初步成功，其平均透过率77.83％，面电阻36Ω/□。