微波通讯领域高速发展,这对电子元器件的小型化、高集成化和多功能化等提出了更高要求。近年来,LTCC技术在微电子领域迅速崛起。LTCC材料要求低烧结温度（<960℃）,适合的介电常数?_r、较高Q?f值和近零的温度系数?_f,同时保证与电极材料共烧时有着良好的化学兼容性。Li₂MgSiO₄陶瓷为本文的主要研究对象,并通过传统的固相合成法制得。详细研究了Li₂MgSiO₄陶瓷的微波介电性能和不同玻璃作为烧结助剂对Li₂MgSiO₄陶瓷降烧的研究,另外尝试利用TiO₂来调节降烧后Li₂MgSiO₄陶瓷的温度系数。具体研究内容如下:1.通过固相合成法制备Li₂MgSiO₄陶瓷,利用差热分析来确定Li₂MgSiO₄粉体的预烧温度。通过XRD来比较不同预烧温度下粉体的物相,当预烧温度为800℃时,粉体中存在少许未反应的MgO和SiO₂,同时有第二相Li₂SiO₃的生成;随着预烧温度的升高,MgO和SiO₂持续减少,但第二相Li₂SiO₃反而增多。在850℃下预烧,并在1250℃保温2小时后制得的Li₂MgSiO₄陶瓷可获得较好的微波介电性能:?_r=6.08,Q?f=31872GHz,?_f=-76.5 ppm/℃。2.为实现Li₂MgSiO₄陶瓷的低温烧结,本文拟采用几种不同的玻璃La₂O₃-B₂O₃-ZnO（LBZ）、Li₂O-Al₂O₃-B₂O₃（LAB）、ZnO-B₂O₃-SiO₂（ZBS）作为烧结助剂对Li₂MgSiO₄陶瓷进行低温烧结研究。其具体内容如下:（1）通过加入0.5wt%².0wt%的La₂O₃-B₂O₃-ZnO（LBZ）玻璃能有效将Li₂MgSiO₄陶瓷的烧结温度降低至900℃,XRD分析表明,当LBZ玻璃添加量增大时,样品的主晶相均为Li₂MgSiO₄,但会出现第二相Mg₂SiO₄和微量未反应的SiO₂。当添加1.0wt%LBZ玻璃于900℃下烧结时,Li₂MgSiO₄陶瓷可获得以下微波介电性能:?_r=6.01,Q?f=28507GHz,?_f=-29.84 ppm/℃;（2）通过添加0.25wt%¹.0wt%的Li₂O-Al₂O₃-B₂O₃（LAB）玻璃后,Li₂MgSiO₄陶瓷于925℃烧结后可获得较高致密度。经XRD分析后发现,样品的主晶相均为Li₂MgSiO₄,当体系中LAB玻璃增多时,没有第二相的生成。添加0.5wt%LAB玻璃的Li₂MgSiO₄陶瓷于925℃下烧结时可获得以下的微波介电性能:?_r=6.2,Q?f=33368GHz,?_f=-64.3 ppm/℃;（3）ZnO-B₂O₃-SiO₂（ZBS）玻璃作为助烧剂时能将Li₂MgSiO₄陶瓷的烧结温度从1250℃降至925℃。由XRD分析可知,样品中没有第二相产生,表明样品为Li₂MgSiO₄单相陶瓷材料。添加1.0wt%ZBS玻璃的Li₂MgSiO₄陶瓷在925℃下烧结时可获得以下微波介电性能:?_r=6.13,Q?f=31992GHz,?_f=-79.6 ppm/℃。3.添加TiO₂对Li₂MgSiO₄-1.0wt%LBZ陶瓷的温度系数进行调节,研究发现,TiO₂能有效地调节Li₂MgSiO₄-1.0wt%LBZ陶瓷的?_f值,但Q?f值会明显降低,介电常数稍有增大。由XRD分析可知,随着TiO₂含量的增大,体系中会产生第二相Li₂TiO₃、Li₂TiSiO₅和Mg₂SiO₄,这会影响到陶瓷的微波介电性能。当添加20wt%TiO₂,Li₂MgSiO₄-1.0wt%LBZ陶瓷于930℃下烧结时,可得到较小的?_f值:?_r=7.51,Q?f=12019GHz,?_f=-16.14 ppm/℃。