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随着集成电路(IC)的尺度变得越来越小,线间和层间寄生电容引起的RC延迟、串话噪音和散热问题对超大规模集成电路的制约效应越来越明显。为了满足集成电路工业的发展要求,近几年来对芯片上电子线路的电性能提出了越来越高的指标,并且促进了三大方面的进步。第一,用铜导线代替铝导线作为互连金属线。第二,研制一种介电常数更低的材料来代替二氧化硅,并实现产业化。第三,为试图更进一步地降低介电常数,在这些新材料中引入多孔结构。本文从制备多孔低介电常数(Low-K)甲基硅倍半氧烷(O-MSSQ)薄膜样品出发,首次引入正十