在凝聚态物理中，研究介观结构中的电子输运性质，其实质是研究其中的量子相干和Fano效应。各种结构的量子线为电子输运提供了丰富的相干路径，在研究量子线中的电子输运性质时，必须要揭示量子相干图像。　　本文采用格林函数的方法，利用KNIT软件，对几种典型的量子线结构中的输运性质进行了系统的研究，并得到了一些有意义的结果。　　首先，对于普通T型量子线的电导谱，在入射电子能量为某些特定值时，电导会陡然出现下降的现象，根据量子相干机制，产生这种现象的主要原因是:电子在T型量子线的不同分区之间运动时总是存在相消干涉。当量子线中嵌入节点时，节点尺度的变化会对电子的输运产生影响。在量子波导中嵌入两个相同的节点，当它们沿着量子波导移动时，其相对位置对电子的输运产生很大的影响，而且两个节点处在量子波导的不同侧时，它们对电子输运的影响效果也不同。如果在节点中加入格点能，则电子输运将变得更加复杂。　　其次，在Armchair型石墨烯纳米条带中嵌入5-5-8型线缺陷，这种线缺陷是由两个五边形和一个八边形周期性交替堆叠而成的。由于石墨烯纳米条带的宽度不同，电子在其中运动时，会产生丰富的物理现象，其中最为典型的就是Fano效应和束缚态。在电子态密度谱上Dirac点附近，由于线缺陷的存在而产生的一些局域化的量子态，这些量子态的不同局域化程度导致了不同的输运结果。在嵌有线缺陷的石墨烯-普通金属异质结构中，Dirac点附近，由于线缺陷的存在而出现一个很强的局域态，这个局域态与电极之间的耦合导致了共振隧穿现象的产生，共振隧穿的性质取决于Armchair型石墨烯纳米条带的大小，在一些特定的情况下可将嵌有一个线缺陷的Armchair型石墨烯纳米条带看作是量子点，当同时存在两个线缺陷时，电导的峰值相当于耦合量子点的分子态。线缺陷与Armchair型石墨烯纳米条带之间耦合强度的变化对Fano效应也存在一定的影响。　　最后，介绍一种新型的线缺陷，它是由五边形和七边形周期性交替堆叠而成的，由于Armchair型石墨烯纳米条带的宽度不同，电子在嵌有这种线缺陷的Armchair型石墨烯纳米条带中的输运将产生不同的Fano效应，Armchair型石墨烯纳米条带的宽度M≤17与M＞17将对Fano效应产生不同的影响，电子的态密度谱表明此类线缺陷导致一些局域量子态的出现，这些不同的局域量子态又导致了不同的电子输运结果。当此类线缺陷嵌入到宽度为M=3n+2的Armchair型石墨烯纳米条带时，对价带区的电子输运影响不大;导带区存在反共振。另外，此类线缺陷与Armchair型石墨烯纳米条带之间的耦合强度也会影响整个能带区域的电导值。