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本文运用高压高温条件下的温度梯度法，合成出Ib型金刚石晶体。通过调整合成腔体配件尺寸，有效地改变了金刚石生长速率。品质尚可的正四棱锥状金刚石晶体能以3mg/h的速率生长。除了腔体内部的温度梯度，溶媒金属的用量和金刚石晶体的结晶面积也对生长速率有影响。表面观察显示合成出的金刚石晶体以层生长模式逐步生长，棱角部分比晶面中心更容易吸收溶质。棱角部分相对于晶面中心的过快堆积是包裹体形成的原因。拉曼测试结果表明，合成出的金刚石晶体拥有位于1331-1332cm-1的拉曼峰并伴随5.4-5.8cm-1的半高宽。根据Ib型金刚石与IIa型金刚石在拉曼光谱上的比较结果，认为：氮杂质不是引起拉曼峰位偏移、峰形宽化的主要原因。合成出金刚石的红外光谱体现了典型的吸收特征。通过红外吸收光谱，计算了金刚石(100)生长区域的含氮量，为30-90ppm，并与合成温度呈逆向关系。根据Ib型金刚石与IIa型金刚石在红外吸收光谱上的比较结果，认为：氮杂质不是引起金刚石本征吸收带偏移的主要原因。金刚石拉曼峰峰位偏移、峰形宽化以及本征吸收带偏移很可能由晶体内部位错、金属杂质以及热应力导致。