【摘 要】
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该论文的工作可分两部分.第一部分是关于异质结带阶的研究.第二部分研究周期性磁场下单量子阱中电子的能带结构.在带阶研究中,我们主要对应变层异质结的带阶进行研究.首先采
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该论文的工作可分两部分.第一部分是关于异质结带阶的研究.第二部分研究周期性磁场下单量子阱中电子的能带结构.在带阶研究中,我们主要对应变层异质结的带阶进行研究.首先采用基于密度泛函理论框架下的模守恒赝势法计算得到体半导体材料的能带结构,接着我们把平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带带阶研究.该文的第二部分着重研究周期性磁场下GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As单量子阱中电子的能带.我们采用脉冲磁场,利用有效质量近似,对电子所处的势阱用方阱势近似,从而得到量子阱中电子的薛定谔方程.我们对其能带的特点和形成机制进行了探讨.
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