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随着信息时代的高速发展,传统的信息存储技术已经满足不了人们的需求,所以寻求新的存储技术以及材料已经刻不容缓。有机电存储材料作为一种新型材料被大家广泛的研究。本实验将苝酰亚胺单元和低聚噻吩单元引入到以Si-O链为主链聚合物的侧链上,成功合成了结构规整的三种聚合物,分别为侧链仅含苝酰亚胺单元的均聚物(PDISi)、侧链仅含低聚噻吩单元的均聚物(PTSi)和二者的交替共聚物(PTSi-alt-PDISi)。核磁共振(1H NMR)结果表明成功制备了上述三种聚合物。差示扫描量热法(DSC)和热失重(TGA)结果表明PDISi和PTSi-alt-PDISi具有非常优异的热稳定性。紫外光谱(UV)结果表明三种聚合物在薄膜状态下的紫外吸收谱带相比其溶液状态下均出现一定的红移现象。荧光光谱(PL)结果表明PTSi-alt-PDISi表现出强的荧光淬灭现象,从而验证了给体噻吩单元与受体苝酰亚胺单元之间发生了能量转移现象。循环伏安测试(CV)结果表明PTSi-alt-PDISi的HOMO和LUMO能级分别为-5.75和-3.54eV。本实验设计简单的三明治结构器件ITO/PTSi-alt-PDISi/Au(Al),通过电性能测试得出PTSi-alt-PDISi器件表现为典型的非易失的写-次读多次(WORM)型器件特性,电流开关比(ION/OFF)高达104,阈值电压为1.7V,器件表现为优异的存储稳定性。通过XRD和荧光发射测试,我们可以推测出器件的存储机理为：在外加电场的作用下PTSi-alt-PDISi的噻吩侧基和苝酰亚胺侧基从无序状态转变为面对面构象的局部有序状态,同时电子给体噻吩基团和受体花酰亚胺单元发生了电荷转移相互作用,在聚合物薄膜中形成一条稳定的电荷传输通道,器件表现为ON态。本实验的研究表明,包含给体-受体结构的硅氧烷聚合物在有机电存储器件领域具有潜在的应用价值。