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该文主要研究了CeF<,3>晶体作为一种新型的闪烁体用于γ脉冲辐射测量时的性能,目的是在n-γ混合场中用于测量γ脉冲辐射.系统地探讨了闪烁体与γ射线的作用机制和作用截面及CeF<,3>闪烁体的发光机理和闪烁特性,并实验测量了几个CeF<,3>晶体样品的发光衰减时间常数,得出其快成分为10ns,慢成分为32ns左右,等效衰减时间22ns左右;随着厚度的增加闪烁体的发光衰减变慢;建立了一套以CeF<,3>为闪烁体的探测器,对其时间响应进行了研究和实验测量.计算了CeF<,3>闪烁体探测器对不同能量γ射线(1keV-20meV)的探测灵敏度.在建立CeF<,3>闪烁探测器γ探测灵敏度的计算模型过程中,用数值积分法计算了光阴极对闪烁体的光子收集效率,得出了CeF<,3>对各种能量的γ射线的吸收因子,计算了光电管的量子效率.首次实验标定了CeF<,3>闪烁体的γ灵敏度和中子灵敏度.使用CгC-67型三通道γ脉冲辐射源,实验标定了使用GD40ZH光电管和XP2020光电倍增管的φ45×5.0mm CeF<,3>闪烁探测器的γ电荷灵敏度分别为4.8×10<-18>C/MeV和6.83×10<-13>C/MeV,与理论计算结果较为一致,从而检验了理论计算的准确程度和计算方法的合理性,并且发现随着闪烁体厚度的增加其γ灵敏度逐渐增大,在所关心的厚度范围服从一种对数关系,对所使用的特定能量的脉冲源,当晶体厚度为11mm时,探测器的灵敏度达到最大.用иHг-103型DPF焦点脉冲中子源,标定了使用Philip XP2020光电倍增管的CeF<,3>闪烁探测器的中子灵敏度为2.26×10<-14>C/MeV.经过比较得出CeF<,3>闪烁体的中子、γ的鉴别本领R约为29.该文的测量结果和计算结果为CeF<,3>闪烁探测器在n-γ脉冲辐射场测量领域的应用提供了初步的依据.