覆盖UVC波段的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有环保、节能、安全等特点,能够替代传统汞灯光源,在空气杀菌、水消毒净化、食物保鲜、医用灭菌等民用领域具有广泛应用前景。2019年底新型冠状病毒肺炎疫情爆发后,研究者发现UVC波段深紫外线也可以有效杀灭新型冠状病毒,深紫外杀菌消毒市场迅速火热起来。目前,尽管AlGaN基DUV-LED已经实现商业化生产,但AlGaN基DUVLED的外量子效率水平仍然很低,典型值不超过7%。已有研究报道通过优化外延结构、芯片版图、反射结构、光子晶体等手段提升DUV-LED的效率。本论文采用新颖的反射型N接触电极,相比于传统N接触电极,能有效提高AlGaN基DUV-LED芯片的光提取效率。本论文研究了反射型N电极结构改变对接触特性、表面形貌,以及AlGaN基DUV-LED光电性能、器件可靠性的影响。本论文研究的具体内容如下:（1）研究了Cr/Al/Ti/Au反射电极的退火温度和厚度参数对其电学性能的影响。退火温度的升高既可以修复ICP刻蚀产生的表面损伤,还可以形成高掺杂区,降低接触势垒。但是过高的温度会导致上层的覆盖保护层金属会向AlGaN层扩散,破环金半接触的合金界面。借助聚焦离子束/电子束双束电镜（FIB-SEM）研究了电极中金属Al层厚度对退火后Cr/Al/Ti/Au反射电极的表面形貌影响规律。金属Al厚度的增加有助于欧姆接触的形成,降低接触电阻,但Al的厚度过厚会使得金属球聚现象更严重,影响接触电极的平整度。（2）研究具有不同形貌N反射电极的AlGaN基DUV-LED光电性能、器件可靠性。针对寿命老化测试中出现漏电异常灯珠,采用红外热点显微镜系统、聚焦离子束/电子束双束电镜、能谱分析（EDAX）等分析手段,发现漏电通道,并阐明N电极的形貌对器件漏电通道形成作用机理。验证具有平整形貌、结构优化的N反射电极的AlGaN基DUV-LED光电特性与商用产品性能相近,可靠性良好,1000 h寿命（No.2016YFB0400804）。老化后光功率维持率仍超85%。