人们生产、生活的需要促进了无线通信技术的蓬勃发展,且其发展方向就是高频,高宽带。随着深亚微米CMOS工艺的成熟及其成功应用和射频集成电路对低成本、低功耗、高集成度的追求使CMOS射频集成电路成为了研究的热点。在射频接收机系统中射频前端是发展的瓶颈,它的各种拓扑结构对系统的性能有着重要影响。低噪声放大器是射频前端电路的典型模块,作为接收机系统的第一级模块的LNA主要是将天线接收到的微弱信号,将其放大供后级模块电路信号处理,同时要求其引入的噪声很小,其性能的优良对接收机系统起着至关重要的作用。考虑到射频电路中器件的特殊性,本文首先对MOSFET的高频模型和噪声特性进行分析,并给出了它们的等效电路,且分析了RF CMOS工艺中电阻、电容和电感的特性。其次,对低噪声放大器的各个指标参数进行了理论推导,并将各种LNA的拓扑结构进行对比。在考虑低噪声放大器的各种性能参数折中的基础上选择了源端电感负反馈的共源共栅结构的低噪声放大器LNA。最后采用了TSMC0.18um RF CMOS工艺设计并实现基于GPS接收机系统的射频前端的1.57GHz低噪声放大器LNA模块。设计的是一个单端源端电感负反馈的共源共栅结构,给出了具体每一设计步骤,并绘制了版图。仿真结果显示噪声系数不大于0.77dB,增益不小于14.4dB,功耗9mW, S11/S22均小于-12dB,线性度1dB压缩点为-6dBm。之后我们又对差分的LNA进行了分析、设计和仿真。