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随着无线通信技术的不断发展,频谱资源日益紧张,射频干扰日趋严重。业界对通信系统的灵敏度和抗干扰能力的性能要求不断提高。高温超导(HTS)滤波器因其带内插入损耗低、带外抑制能力强、带边陡峭度高等优点,在高性能无线通信系统中有广泛的应用前景。但是,作为平面器件,HTS滤波器同样要面对寄生通带的问题。通带外的干扰信号通过寄生通带,进入接收前端时会危害整个系统的工作性能。因此,高温超导滤波器的宽抑制特性研究具有重要意义。本论文针对当前高性能宽抑制滤波器中的设计难点,提出了3种新型结构:(1)论文提出了埋地类插指电容结构。相比传统插指电容,该结构可方便灵活的加载在各类1/4波长谐振器中,在不影响滤波器原有耦合的前提下,大幅提升原有滤波器的宽抑制性能。使用该结构设计了4阶宽抑制HTS滤波器,在尺寸仅为0.033λ_g×0.017λ_g的情况下,带外抑制深度可至80 dB,带外抑制宽度可至7.3倍基频。(2)论文提出了加载插值电容的非对称阶跃阻抗谐振器(ASIR)结构。相比传统非对称阶跃阻抗谐振器(ASIR),该谐振器结构可通过调整加载插指电容的密度来改变谐振器的寄生谐频,因而具有更宽的抑制范围和更小的尺寸。论文提出了该结构的等效模型,用于计算谐振器的基频。此外,在该结构中,使用了一种新型T型对称插值电容(T-IDC)。较传统插指电容,T-IDC具有更大的等效电容容值。作为验证,使用该结构设计并制作了一个HTS宽抑制滤波器。滤波器尺寸为0.16λ_g×0.13λ_g。在30dB和60dB带外抑制下,滤波器的宽抑制阻带分别可被推高至4.0倍基频和3.5倍基频。(3)论文提出了自嵌入非对称阶跃阻抗(SE-ASIR)拓扑结构。SE-ASIR拓扑通过将阶跃阻抗谐振器(SIR)的低阻块嵌入自身,能够在保持SIR宽抑制特性的同时,有效减小SIR谐振器的尺寸。论文详细的论述了SE-ASIR拓扑的构造过程,提出了SE-SIR谐振器的等效模型。作为验证,使用SE-ASIR拓扑设计并制作了一个的HTS宽抑制滤波器。滤波器尺寸为0.28λ_g×0.12λ_g。在60dB带外抑制下,滤波器倍频可被推高至4088 MHz,为基频的3.7倍。