【摘 要】
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3C-SiC禁带宽度比较窄,约为2.3eV,在比较宽的可见光区具有较高的光吸收,使其成为较为理想的光解水半导体替代材料。为了提高3C-SiC的光解水转换效率,将上转换发光材料与3C-SiC纳米晶结合制备复合薄膜光电极,利用上转换发光材料将不能被3C-SiC纳米晶吸收的近红外光转换为可被其吸收利用的可见光,从而最大限度地提高3C-SiC纳米晶的太阳光吸收和光电转换效率。本文采用化学腐蚀的方法制备超细
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3C-SiC禁带宽度比较窄,约为2.3eV,在比较宽的可见光区具有较高的光吸收,使其成为较为理想的光解水半导体替代材料。为了提高3C-SiC的光解水转换效率,将上转换发光材料与3C-SiC纳米晶结合制备复合薄膜光电极,利用上转换发光材料将不能被3C-SiC纳米晶吸收的近红外光转换为可被其吸收利用的可见光,从而最大限度地提高3C-SiC纳米晶的太阳光吸收和光电转换效率。本文采用化学腐蚀的方法制备超细3C-SiC纳米晶,通过调节反应时间实现对3C-SiC纳米晶粒径的调控。3C-SiC纳米晶粒径细
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