本文通过固相反应法制备了MGa2O4(M=Mg,Ba,Sr, Ca, Zn)荧光粉,采用溶胶-凝胶法合成包含MgGa2O4纳米晶的MgO-Ga2O3-SiO2的玻璃陶瓷。同时,对影响样品微结构和荧光性质的因素,包括稀土元素的掺杂量,样品的热处理温度,基质的组成以及合成方法等做了系统的研究和剖析。取得的主要的研究成果有：(1)用两步热处理的固相反应法,制备出了具有不同浓度稀土掺杂的MGa2O4(M=Mg,Ba,Sr, Ca, Zn)荧光粉体。并对其进行了XRD和荧光性质的分析。结果表明,少量稀土离子的掺杂并不改变基质晶体的结构。随着稀土含量的增加,荧光的激发强度和发射强度会有下降的趋势,原因在于在系统中发生了浓度猝灭现象。由光谱研究表明,发射光谱中观察到明显的Eu3+离子来源于5Do-7Fj(j=0,1,2,3,4)跃迁的特征发射峰。而在480nm,575nm和665nm处的发射峰则来自于Dy3+离子,这表明Dy3+离子掺杂的MgGa2O4荧光粉具有应用于白光LED领域的潜在可能。(2)用溶胶凝胶法,成功制备了Eu3+离子和Dy3+离子掺杂的MgO-Ga2O3-Si02玻璃和玻璃陶瓷,并研究了MgO和Ga203的含量和样品的热处理温度对基质结构和荧光性质的影响。掺杂Eu3+离子的样品具有明显的红光发射,而掺杂有Dy3+离子的玻璃陶瓷则表现出白光发射。(3)应用水热法,合成了不同稀土掺杂的MgGa2O4粉体。通过XRD和荧光测试发现,样品的合成过程对粉体的结构和荧光性质有着很大的影响。