【摘 要】
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本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术分别在硅(100)、玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体薄膜，研究了成膜机制和制备高性能NiZn铁氧体薄膜的条件，并分析了薄膜的微观结构、磁性能与沉积过程的关系。通过SEM、XRD、VSM等分析表明：薄膜的主晶相为尖晶石结构，不同基片上薄膜晶粒尺寸均随基片温度升高而增大，但硅基片上薄膜在(400)晶面具有一定的择优取向；薄膜的沉积速率随基片温度升高呈现先增大后下降的趋势
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本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术分别在硅(100)、玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体薄膜，研究了成膜机制和制备高性能NiZn铁氧体薄膜的条件，并分析了薄膜的微观结构、磁性能与沉积过程的关系。通过SEM、XRD、VSM等分析表明：薄膜的主晶相为尖晶石结构，不同基片上薄膜晶粒尺寸均随基片温度升高而增大，但硅基片上薄膜在(400)晶面具有一定的择优取向；薄膜的沉积速率随基片温度升高呈现先增大后下降的趋势，且在玻璃基片上沉积速率随基片温度的变化更为敏感；随着氧压的升高，虽沉积速率逐渐下降，但其磁性能逐步变优
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