SiGe HBT建模及模拟技术研究

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:alexander_guwen
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该论文首先系统研究完善了SiGe HBT器件材料物理参数模型如迁移率、禁带窄化、介电常数、基区掺杂,Ge分布等模型,获得适于建立器件直流特性、交流特性模型为目标的器件材料物理参数模型.该文对具体如何设计SiGe HBT进行了研究讨论,根据文中所建立的模型,编制了软件,该软件使用方便,计算量小,对设计SiGeHBT提供了良好的工具和具有指导作用.
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