论文部分内容阅读
随着社会发展和科技的进步,人们对具有良好发光性质材料的需求日益增强,相关研究越发深入。氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙半导体材料,属Ⅱ-Ⅵ族化合物,室温下禁带宽度达到3.37eV,激子束缚能达到60meV,理论上可实现室温下的较强紫外受激辐射,在紫外发射器件、紫外激光器件等领域具有广阔的应用前景。同时,ZnO在表面声波器件、透明电极、气体传感器等方面也得到了广泛的应用。目前,ZnO薄膜的制备方法有很多,比如,溶胶-凝胶法(Sol-gel)、溅射法(Sputtering)、分子束外延生