本论文简述了锑掺杂氧化锡（简称ATO）纳米粉体的特性、团聚体的起因与消除、导电机理、制备方法及其应用领域。对制备ATO粉体的方法进行了改进，并考察了各因素对ATO纳米粉体粒径和电阻率的影响。本论文研究的内容和所得成果如下：　　 (1)以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，NH3为共沉淀剂，在表面活性剂存在下，通过室温固相法制备ATO前驱体，经煅烧后得到ATO纳米粉体。研究了掺锑量、煅烧温度和煅烧时间三因素对粉体性能的影响，探讨了部分防团聚的方法及其对ATO粉体性能的影响，实验结果表明，制备ATO的最佳工艺条件为：掺锑量为12.3％、煅烧温度为600℃、煅烧时间为2h，并在此条件下，以司班-80作为表面活性剂，用无水乙醇分散脱水，于87℃干燥前驱体时，所得ATO粉体的性能较好，其电阻率最低，可达3.36Ω·cm。　　 (2)以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，NH4HCO3为沉淀剂，采用化学共沉淀法制备ATO纳米粉体，通过正交实验法研究了掺锑量、盐酸浓度及滴加时间三因素对产品性能的影响。通过极差分析，得出三因素在实验范围内的最佳工艺条件，即掺锑量为12.3％、盐酸浓度为2.5mol.L-1、滴加时间为60min。在此条件下，进一步考察了分散剂、分散剂用量、滴加方式以及反应pH值等单因素对ATO粉体性能的影响，结果表明：在偏磷酸钠用量为0.3g、pH值在2～4之间时，采用共滴定法制得的ATO粉体性能较好，其电阻率可达4.5Ω·cm。　　 (3)运用傅立叶红外吸收光谱(IR)、X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、比表面仪(BET)测试方法分别对两种不同制备方法制得的ATO粉体进行了表征，确定了它们的平均粒径。结果表明，两种方法制备的ATO粉体颗粒均较小，且粒度均匀，粒径在10nm左右。虽然两种方法制备的ATO粉体的粒径均较小，但是采用室温固相法，更有利于Sb3+和Sn4+的沉淀，而且制得的ATO纳米粉体的导电性更好；另外，由于室温固相法使用的设备简单、易于操作，且成本低、污染小，因而用此方法来制备ATO粉体更有应用价值。