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本论文结合相关实验结果,并在已有计算的结果上进一步构造并计算了Ga N(0001)面上Ga空位缺陷对Ti O2分子、Sr O分子和Ba O分子的吸附。以及含有[10-10]和[11-20]两个方向缺陷的Ga N(0001)表面对Ti O2分子的吸附。计算机模拟的手段进行研究,具体应用MS软件中的castep模块计算,设计并优化了各个模型,在优化完成的构型上计算了态密度、密粒根电荷数等性质。首先,前期计算得到的最易形成的点缺陷为VGa点缺陷。我们在此优化好的VGa点缺陷表面上的不同位置放置了具有代表性的Ti O2分子、Sr O分子和Ba O分子。结果显示:Ti O2分子在VGa点缺陷面上的吸附能比其在干净表面上的吸附要弱,说明在同等条件下,Ti O2分子优先吸附于干净表面。以同样的条件计算的VGa点缺陷对Sr O分子和Ba O分子的吸附结果表明,VGa点缺陷对Sr O分子或者Ba O分子的吸附都比对Ti O2分子的吸附要容易。而干净表面对Ti O2分子的吸附要优于对其余两种分子的吸附。VGa点缺陷对Sr O分子或者Ba O分子的吸附结果表明,吸附后Sr-O键和Ba-O的成键方向都为[11-20]方向。这和实验生长方向是一致的。其次,我们设计并计算了含有[11-20]方向、[10-10]方向的Ga N(0001)面上的线缺陷。结果显示,[10-10]方向的线缺陷优化后的结果基本不变形,而[11-20]方向的线缺陷变形严重,推论是和缺失的Ga原子的个数有关(点缺陷的结果也是Ga空位缺陷变形严重,而N缺失则影响很小)。计算结果表明[11-20]方向的线缺陷没有[10-10]方向的线缺陷对Ti O2分子的吸附能大。最后,我们研究了Ga N(0001)面上的含有[10-10]、[11-20]方向的台阶缺陷。同样的[10-10]方向的线缺陷优化后的结果没有[11-20]方向的台阶缺陷变形严重。计算结果表明[11-20]方向的台阶缺陷比[10-10]方向的台阶缺陷对Ti O2分子的吸附能大。并且吸附后的最优吸附结果是Ti O2分子的两个O连线都几乎是[11-20]方向,这和实验生长方向是一致的。