电子束光刻是目前分辨率最高、使用最灵活的纳米加工技术,在半导体制造和微细加工领域等领域有广泛的应用。作为推进半导体产业不断发展的核心技术,光刻技术从出现以来就在集成电路生产中扮演着重要的角色。随着光刻技术分辨率的不断提高,相应的高精度掩模制作难度也越来越大。目前,大部分高精度掩模都是采用电子束光刻方法制作完成的。但是电子束光刻的关键技术还需要进一步研究。本论文在深入理解电子束光刻技术及电子与光刻胶相互作用机理的基础上对高精度掩模的关键制备技术进行了深入研究。针对电子束光刻中的邻近效应,对电子束光刻过程进行了蒙特卡罗计算机模拟。在理论模拟的基础上,对电子束光刻工艺进行了优化,成功制备了高精度光学掩模。论文中主要研究成果包括：1.本论文首先从电子束光刻的基本原理出发,通过对电子在光刻胶和衬底中碰撞散射理论以及能量沉积理论的研究。2.在理论模拟结果的基础上,校正实验数据,优化曝光工艺参数,从而达到减小电子束邻近效应,提高电子束光刻分辨率的目的。3.利用光栅扫描电子束光刻制版系统MEBES4700S,对高精度掩模版制造的曝光策略及其控制技术进行了研究,其中包括版图图形数据处理技术、高精度曝光参数调整、写策略的定制、自一致邻近效应校正技术以及曝光剂量和线宽控制等。4.测量了电子束光刻制版系统MEBES4700S工作电压下的点扩散函数,成功研制了接近机器极限分辨率的350nm掩模版。