[Ca24A128064]4+(e-)4(C12A7:e-)电子化合物是由Ca-AI-O组成的具有特殊的三维笼状结构的材料,其中由Ca-Al-O按照一定的结构排列成带正电荷的[Ca24A128O64]4+笼状结构,电子随机的填充于笼状结构中用以维持其电中性特性,其特殊的结构组成和性能使其具有较为广泛的应用,如作为OLED的电子注入层,高效催化剂的载体材料,冷阴极荧光灯的电极材料等。寻求适合大规模制备且具有较高电子浓度的C12A7:e-的合成方法,研究其特殊的性质对于工业生产和基础领域的研究具有极大的推动作用。本论文分三方面对C12A7:e-的制备及特性进行了深入研究,不同方法合成制备12Ca0·7A1203(C12A7)粉体材料及其性能表征,高致密度、高电子浓度C12A7:e-靶材的烧结技术及特性研究,C12A7:e-透明薄膜的制备及光电特性研究。主要成果包括:1.分别采用固相合成法和水热合成法制备得到了 C12A7纳米粉末,并研究合成条件对粉末性能的影响。结果表明:(1)水热合成在低温下得到的C12A7粉末晶粒尺寸最小(～35 nm),(2)固相法合成得到的相结构较为单一且晶粒尺寸分布均匀(73±3 nm),适合用于制备靶材。2.采用固相合成得到的C12A7粉末,在碳坩埚中直接加热,通过调节温度和加热时间一步制备出高电子密度的C12A7:e-靶材。结果表明:在1250-1450 ℃温度范围内可获得纯的C12A7相结构,且随着加热温度的升高,电子浓度增加。在1450 ℃加热2小时可以得到最优的电子浓度值(～2.3×1020cm-3)。3.用上述制备的C12A7:e-靶材,通过磁控溅射方法镀膜,研究了不同工艺参数对薄膜光电特性的影响。结果表明:在射频功率200 W条件下,薄膜的生长速率为1.5 nm/min,即使在厚度为690 nm其可见光区透过率仍可达到900%以上,且具有较低的功函数(～2.9eV)。将C12A7电子化合物与AZO进行共溅射可以实现对复合导电薄膜光电特性和功函数的调节,功函数在3.1 eV-4.1 eV。本论文所取得的研究成果,对C12A7:e-电子化合物及薄膜的低成本量产制备及产业化应用具有一定的借鉴意义。