该文采用3.5﹪NaCl溶液对四种Al-Si-Cu钎料的真空钎焊试样进行全浸试验,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射分析仪(XRD)及能谱分析(EDX)等测试手段,对腐蚀后的钎焊试样进行观察,分析试样的腐蚀类型,研究试样的腐蚀机理.而且对晶界偏析和原子扩散进行了讨论,分析偏析与扩散对试样腐蚀行为的影响.研究发现,真空钎焊试样浸入3.5﹪NaCl溶液中会产生较为严重的腐蚀,腐蚀类型主要为点蚀和晶间腐蚀,并且随着时间的延长和Cu含量的增加,腐蚀程度加重.其主要腐蚀产物为AlCl<,3>、Al(OH)<,3>和Al(OH)<,2>Cl.研究表明,由于活化阴离子Cl<->的存在,使得氧化膜局部溶解形成点蚀源,在Al<+++>和Cl<->的化学平衡和电极反应动力学相互促进下,点蚀的腐蚀程度不断增大.另外,由于Al<,2>Cu在晶界上的大量析出,导致晶界周围区域严重贫Cu,使得该区域成为腐蚀原电池的阳极,从而造成晶间腐蚀.研究还发现,Cu和Si原子在晶界上的偏聚造成晶界结构和电化学的不均一性,促使点蚀和晶间腐蚀的进一步发展;而Cu沿母材αAl相的晶界向母材的快速扩散使得晶界上的含Cu量增加,而晶内含Cu量低的区域成为腐蚀原电池的阳极而使母材受到侵蚀.该文还利用溶液自旋工艺制备快速凝固Al-Si-Cu薄带钎料,并对其微观组织进行分析,初步判断快冷钎料的耐蚀性能要优于常规钎料.