纳米材料,尤其是纳米复合材料已经引起科研工作者越来越多的注意.随着材料尺寸和维度的降低,材料的结构和性质均发生很大的改变.纳米磁性材料呈现出很多异常的磁学性质,在信息存储等方面,展现出很好的应用前景.该文通过调研纳米磁性材料的研究现状及其发展趋势,比较了在DMSO与水溶液中沉积的Ni纳米线,得到了改进纳米线沉积的方法.通过对现有理论模型的改进,结合微磁学理论和实验数据,总结出一般纳米线阵列矫顽力的计算方法.并由此提出一种可行的新的制备三维磁光记录材料的方法.论文主要涉及以下几方面的内容.(1)采用电化学沉积方法,分别在水溶液和DMSO溶液中沉积处Ni纳米线阵列.样品的X射线衍射谱表明,Ni纳米线沿着易磁化轴方向生长,且随着频率的增大沉积效果越好,在相同频率下在DMSO中沉积得到的Ni纳米线比在水中的晶格织构好.采用透射电镜,扫描电镜研究分析了纳米线生长的有关因素,用VSM所做的磁性测量结果,比较了不同溶液中得到的纳米线阵列矫顽力和矩形比之间的差异,给出了理论上的解释.(2)基于磁荷模型,对规则六角纳米线阵列的矫顽力和退磁因子进行了模拟和计算.首先,在对退磁场进行计算的基础上,对该理论存在的一些缺陷做了进一步的修正.借助该模型解释了纳米线矫顽力随纳米线半径变化的规律,而且在一定范围内计算结果与实验结果吻和得非常好.最后用mathematics给出了一个简单的解析式,以此简化规则六角纳米线中主要依赖于形状各向异性能的矫顽力和退磁因子的计算.(3)提出一种制备三维磁光记录材料的方法.不仅讨论了一个比较合理的多层纳米线制备方法,而且通过对纳米线磁光记录的读/写分析,尝试论证了采用该方法获得三维磁光记录材料的可行性.