低噪声放大器(LNA)是雷达和通信系统接收机前端的重要组成部分,主要作用是将天线从空中接收到的微弱信号放大,它的性能好坏直接影响着接收机前端的性能。随着民用和军用微波通信技术的快速发展和广泛运用,低噪声放大器的发展和研究也成为了重要的热点。由于高电子迁移率晶体管(HEMT)作为砷化镓场效应管(Ga AsFET)的改进型,它对于设计低噪声放大器有很多优点,如频率较高、噪声较低、增益高,对设计微波放大器有很大的优势。本文就是基于高电子迁移率晶体管来设计一款X波段低噪声放大器。本论文主要研究的内容是完成X波段低噪声放大器的设计工作。文章首先阐述了该论文的研究意义和国内外发展状况,然后详细分析了微波电路相关知识和低噪声放大器的基本理论。在这些理论的基础上,提出了增加低噪声放大器的稳定性和展宽带宽的方法,结合这些方法选用NEC公司的高电子迁移率晶体管NE3210S01来设计X波段低噪声放大器,直流偏置电路采用双电源供电,并使用低阻抗特性的扇形微带短截线代替旁路电容和?4/3高阻线来阻止射频信号对直流电路的影响,并应用源极负反馈的方法来增加放大器的稳定性,使用平行耦合的方式来达到隔直流的效果。将晶体管的S参数导入到强大的Advanced Design System 2009软件中完成X波段低噪声放大器设计,然后得到优化后的版图导入到Altium Designer软件中来完成最后的PCB设计。在最后的阶段完成了低噪声放大器的实物制作和对S参数、噪声参数的测试与调试工作,验证了设计方法的可行性。在论文的结尾总结了该论文所做的工作和不足,并分析了对以后工作的展望。