【摘 要】
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随着设计技术进一步发展,通过以C4F6为基础的刻蚀制程气体在MERIE技术eMAX反应腔室的应用,可以扩大eMAX机台绝缘体材料刻蚀130nm及以下制程的窗口。C4F6有比C4F8更高的对光阻
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随着设计技术进一步发展,通过以C4F6为基础的刻蚀制程气体在MERIE技术eMAX反应腔室的应用,可以扩大eMAX机台绝缘体材料刻蚀130nm及以下制程的窗口。C4F6有比C4F8更高的对光阻和氮化硅(Si3N4)的选择比和更宽的刻蚀终止窗口。通过优化工艺窗口,其对Si3N4的选择比可以达到30:1,使得有能力刻蚀低或高深宽比的结构,大于87°角的刻蚀能力可以很好的控制CD和刻蚀轮廓。而且现有机台已经有C4F6气体管路,无须改管安装。通过正交实验,对0.13um绝缘体干法刻蚀的主要参数(射频,压力,C4F6,CHF3)进行优化研究,并得出结论:RF功率为影响刻蚀速率的主要因素;压力为影响均匀性的主要因素;选择比主要由气体流量决定,通过调节气体流量的比率可改善选择比。在此基础上我们对0.13um CT/Via刻蚀性能进行近一步的实际应用实验研究,用不同的刻蚀参数刻蚀产品,通过切片进一步分析和确认窗口。最后我们通过测试结果(CD,切片,缺陷,WAT,良率)分析,证明了C4F6应用于新工艺开发比现有C4F8成功提高了窗口和良率。
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