ZnO，禁带宽度为3.37eV的直接宽带隙的Ⅱ-Ⅵ半导体材料，激子束缚能为60meV，高于室温的离化能26meV，使其成为可以在高温条件下紫外发光的材料，同时可以实现室温下的更高效率的受激发射。因此，是继GaN之后的又一有潜在应用前景的宽禁带隙半导体材料。 本论文的主要目的研究金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法和化学气相传输法（CVT）在蓝宝石和Si衬底上得到的ZnO膜的结构，取向，缺陷及光学性质。在蓝宝石衬底上得到的MOCVD生长的不同条件的ZnO膜的晶体取向，光学性质存在较大的差异。在ZnO薄膜和蓝宝石衬底之间存在两种外延取向关系，即ZnO（002）／Al₂O₃（006），ZnO[100]／AL₂O₃（110）和ZnO（002）／Al₂O₃（006），ZnO[110]／Al₂O₃[110]，其中前一种为优势取向，这种方式生长二者之间的晶格失配为18.3％，而后者的晶格失配则为31.8％。在可见光区是透明的，透光率能达到80％以上，室温光致发光谱在紫外区有自由激子复合的紫外发光（近带边发射）和杂质缺陷形成的蓝绿光（深能级）发射。膜的厚度和衬底温度对外延取向关系、近带边发射及深能级发射有很大的影响。二维薄层和三维结构表明二维层的厚度大于10nm。化学气相传输法（CVT）在Au或者Cu催化的Si衬底上可以得到不同形貌的ZnO薄膜，其中催化剂的厚度及反应温度对得到的ZnO薄膜的结构缺陷，光学性质及表面形貌都有很大的影响。