随着太赫兹波的研究和探索,人们将各种功能器件从毫米波波段延展到太赫兹波段的呼声也越来越高。由于太赫兹的特殊性质,在太赫兹波段的功能器件的研制还有许多发展空间。本文中,我们基于电磁超材料的特性,分别进行了多频带太赫兹谐振器、超宽带太赫兹吸收器和太赫兹调制器三大器件的设计与研究工作。首先,本文利用工字型基础结构,通过在结构表面不同位置添加不同形状的金属片和金属条,分别设计出单频带、双频带和五频带的太赫兹谐振器。三款谐振器谐振频率均集中在0.5THz-1.5THz范围内,透射系数均小于7%,效果良好。其次,在太赫兹谐振器的基础上,通过在底部添加一层厚度大于趋肤深度的金属层,利用金属谐振开口环的特性,结合正方形的良好结构,分别设计出正方形单层开口环的太赫兹吸收器和正方形双层开口环太赫兹吸收器。其吸收系数大于70%的频带最大可达3.8THz,吸收系数最大可达99.97%,频带超宽带,属于完美吸收范畴。然后,在太赫兹吸收器的基础上,通过在金属层上部添加一层可改变电导率的半导体硅,利用光照改变半导体硅中载流子浓度,从而实现电导率的改变,来设计出对器件进行频率,频带、相位调制的太赫兹调制器。其最大调制深度为68.1%,具有频带可重构性。最后,加工并测试了本文设计的太赫兹调制器,实测数据和仿真数据吻合度好,能较好地运用到太赫兹系统中去。