取向P(VDF-TrFE)铁电薄膜的可控制备及其结构性能研究

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聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(P(VDF-TrFE))是最受欢迎的聚合物铁电材料之一,其结晶行为直接决定材料的最终铁电性能。P(VDF-TrFE)熔融重结晶后一般形成分子链垂直于基底的flat-on片晶,没有铁电性能。本文通过硅基单层石墨烯的基底作用和真空蒸镀碳膜的方法调控了P(VDF-TrFE)熔融重结晶后分子链平行于基底方向的edge-on取向,该取向有利于铁电极化性能,同时拓宽了铁电存储器件的加工温度窗口。首先研究了熔融温度对单层石墨烯基底上P(VDF-TrFE)薄膜熔融重结晶后的结晶及铁电性能的
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