【摘 要】
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该论文利用光电子能谱和线性Muffin-Tin轨道(LMTO)方法对几种重要的II-VI族半导体的表面及其界面电子结构进行了较为深入的研究.作为研究工作的两个重要而且紧密相关的阶段,
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该论文利用光电子能谱和线性Muffin-Tin轨道(LMTO)方法对几种重要的II-VI族半导体的表面及其界面电子结构进行了较为深入的研究.作为研究工作的两个重要而且紧密相关的阶段,首先研究了半导体的表面电子结构,其重点放在了极性表面的表面电子态和表面稳定性问题上,在随后的界面研究中,着重讨论了异质结生长温度,极性界面原子构型以及界面生长顺序在界面能带排列中的影响和作用,结合理论模型,对实验现象作了合理的讨论.实验测量结果与LMTO方法计算得到的电子结构及能带结构进行了比较,取得了较好的一致.作为工作的拓展,该文还研究探讨了更宽禁带材料SiO<,2>与II-VI半导体材料之间的能带连接情况,获得了若干较为重要的结果.
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