随着电子信息行业及表面贴装技术的快速发展，片式多层陶瓷电容器（Multi-layer Ceramic Capacitor，简称MLCC）正趋向于小型、大容量、低成本、无铅、中高压、高性能化及高频方向发展。中高压MLCC需具有高耐压特性，同时为节能降耗和降低器件制造成本，需满足低温共烧技术（Low Temperature Co-fired Ceramics，简称LTCC）的要求，以便与低成本内电极共烧。因此，开发耐压特性好、烧结温度低、抗还原性瓷料成为当今中高压陶瓷材料的研究热点。钛酸锶钡陶瓷(Ba_xSr_1-xTiO₃，简称BST)具有可调的介电性能及较高的耐压特性，是中高压片式多层陶瓷电容器材料的研究热点。目前国内外对BST陶瓷的改性研究主要集中在湿化学制备及铅改性等方面，烧结温度较高，不符合片式多层陶瓷电容器低成本化、无铅化的发展要求。本文正是基于以上要求，选用低纯度原料，采用固相合成法，以具有良好介电性能的Ba_xSr_1-xTiO₃（x=0．1）材料为陶瓷介质基料，通过(Nb_3／4Li（1／4）)、(Nb_2／3Zn_1／3)及(Nb_1／2Sm_1／2)取代B位Ti，制备出无铅、性能优良的中高压片式多层陶瓷电容器材料；在此基础上，采用自制ZnO-B₂O₃-SiO₂玻璃（ZBS）作为烧结助剂，降低Ba_xSr_1-xTiO₃陶瓷的烧结温度，实现与金属Ag电极的低温共烧，并研究低温烧结Ba_xSr_1-xTiO₃陶瓷的应用技术。本文的主要研究成果如下：（一）Ba_0.9Sr_0.1TiO₃陶瓷烧结特性和介电性能的研究。陶瓷样品在1225℃～1425℃范围内烧结形成四方晶系的钙钛矿结构固溶体。在1225℃～1325℃范围内，随着烧结温度的升高，陶瓷样品致密度逐渐提高，其介电常数、击穿场强和介质损耗得到改善，但在1375℃～1425℃下烧结，容易形成Ti³⁺，恶化了样品的介电性能。Ba_0.9Sr_0.1TiO₃陶瓷在1325℃保温2h烧结能够获得最佳介电性能为：ε_r=2354，E_b=10．22kv／mm，tanδ=0．01345，ρ=7．0×10⁹Ω·cm。（二）通过施主—受主离子复合取代B位Ti⁴⁺改善Ba_0.9Sr_0.1TiO₃陶瓷的介电性能。(Nb_3／4Li（1／4）)、(Nb_2／3Zn_1／3)及(Nb_1／2Sm_1／2)分别占据B位取代Ti，均形成钙钛矿结构的BaTiO₃基固溶体。同(Nb_3／4Li_1／4)、(Nb_2／3Zn_1／3)取代Ti相比，适量的(Nb_1／2Sm_1／2)取代Ti提高了Ba_0.9Sr_0.1TiO₃系陶瓷的击穿场强、绝缘电阻率，且减小了介电损耗。当取代量为x=0．04时，Ba_0.9Sr_0.1(Nb_1/2Sm_1/2)_0．04Ti_0．96O₃陶瓷在1510℃保温2h烧结可获得最佳介电性能：ε_r=6168，tanδ=0．0024，E_b=14．3kv／mm，ρ=3．0×10¹²Ω·cm。（三）添加自制ZBS玻璃烧结助剂降低Ba_0.9Sr_0.1TiO₃系陶瓷的烧结温度。添加ZBS玻璃能有效降低Ba_0.9Sr_0.1(Nb_1／2Sm_1／20.04Ti_0.96O₃陶瓷（简称BSNST）的烧结温度，当添加量不低于5wt％时，可使BSNST陶瓷烧结温度降至925℃以下，且介电性能随ZBS玻璃添加量的增加而有所下降。综合烧结特性和介电性能，添加5wt％ZBS的BSNST陶瓷在925℃保温2h烧结，获得最佳介电性能：ε_r=2695，E_b=10．19kv／mm，tanδ=0．01265，ρ=1．0×10¹¹Ω·cm。此外，低烧BSNST陶瓷材料与Ag电极具有良好共烧界面，无明显扩散反应现象，是一种极具潜力的LTCC陶瓷材料，具有广阔的应用前景。