半导体光电极的制备、修饰及其性能研究

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该文在p-Si上恒电流沉积Ni-Mo合金,研究了Ni-Mo合金的结构和沉积量对电极催化析氢性能的影响,并用XRD表征了沉积Ni-Mo合金的结构,用SEM观察了电极的表面形貌,采用交流阻抗法测试了沉积Ni-Mo前后电极阻抗的变化,对刻蚀处理p-Si电极的交流阻抗进行了分析比较.通过溶胶-凝胶法,直接在导电的金属镍基上制备多孔TiO<,2>纳米薄膜,研究烧结温度、膜的厚度对电极的光电压、光电流的影响,比较不同工艺条件下电极的光电响应,确定制备多孔TiO<,2>纳米薄膜镍电极的工艺参数,并用循环伏安法分析了电极的光电化学性能.通过化学溶液沉积法在金属镍基表面沉积了CdS半导体薄膜,制备了CdS修饰的镍基光电极.研究了半导体CdS薄膜的厚度对CdS/Ni电极的光电压和光电流的影响.
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