随着移动通信技术与CMOS深亚微米工艺技术的飞速发展，CMOS射频前端成为当前的研究热点之一。本文主要从如下四个方面进行研究： 第一：结合3GPP规范，对TD-SCDMA接收机要求的非线性、灵敏度和信道选择性进行分析。深入研究和分析超外差、零中频、宽带零中频和低中频接收机结构。结合TD-SCDMA-技术的空口指标，设计出适合TD-SCDMA接收机要求的零中频接收机结构，通过增加片外SAW滤波器、采用双正交下变频结构、采用2倍于射频频率的本振频率等方法进行电路优化。 第二：主要针对共源共栅结构低噪声放大器的噪声、增益、线性特性和稳定性进行了设计分析，得出了在限制偏压条件下的最佳栅宽和最小噪声系数。在设计阶段，以流程图的形式描述了设计思路，并进行初始设计。考虑到栅漏电容miller效应，从输入匹配网络、级间匹配和栅宽影响等方面进行了优化设计。用ADS软件进行仿真，结果满足TD-SCDMA零中频接收机低噪声放大器的指标要求。 第三：片上电感在LNA设计中必不可少。从电感建模、效应分析、研究现状和优化方案等角度进行了研究。对采用片外电感和不同Q值电感的LNA进行了仿真比较。 第四：结合单频带低噪声放大器设计的理论，以实现元件共用为目的，从匹配网络的分析入手设计出了满足2020MHz和940MHz两个频段的双频带低噪声放大器。 最后，总结全文，对未来低噪放的发展进行了展望。并对这个研究的后续工作进行了简单介绍。