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利用高分辨电子显微学,电子能量损失谱等方法,对激光蒸发制备的一维纳米硅线和氮化硼纳米管进行了原子尺度的结构及缺陷研究.在此基础上,对一维纳米材料的生长机制,物理性能与微结构间的关系展开了较系统的研究工作.利用透射电子显微镜对纳米硅线的形貌、微观结构等进行研究.高分辨电子显微学研究表明:纳米硅线中存在大量微孪晶、堆垛层错、小角晶界等高密度结构缺陷.这些结构缺陷与纳米硅线的生长和形貌有密切关系.高分辨像和电子能量损失谱研究表明:纳米硅线中高密度结构缺陷的存在有利于纳米硅线的成核生长.利用Raman散射方法研究了纳米硅线的尺寸限制效应.利用电化学方法成功地实现了纳米硅线的可控锂掺杂.利用激光蒸发方法在不同载气环境下成功制备出氮化硼纳米管.