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智能剥离技术是生产SOI器件的主流技术，自第一次被M.Bruel报道以来，此技术就引起人们不断关注。智能剥离技术主要基于气体离子注入和硅片键合，它所需要的高剂量和热处理温度限制了它的商业化发展。研究表明，气体离子联合注入单晶硅可有效降低剥离所需剂量和热处理温度。本论文采用H离子单独注入或B和H离子顺次注入单晶硅材料，借助于多种表征手段，详细研究了注入样品的表面损伤形貌和内部微观缺陷以及它们随退火温度的演变规律，并对B、H离子顺次注入的促进剥离机制进行了探讨。此外，论文还采用He、B、H三种离子顺次注