【摘 要】
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本文主要研究在新型工艺的NAND-FLASH下的存储管理,对主要的几个算法进行优化,并加入一些新算法,以适合新型工艺下的Flash特性,同时提高了性能。近年来,FLASH存储器件正在以
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本文主要研究在新型工艺的NAND-FLASH下的存储管理,对主要的几个算法进行优化,并加入一些新算法,以适合新型工艺下的Flash特性,同时提高了性能。近年来,FLASH存储器件正在以惊人的速度发展,越来越多的电子设备开始采用Flash作为其存储介质,而且容量越来越大,速度要求越来越高。由于NAND-Flash工艺的特殊性,必须设计专用的算法对Flash进行管理,而且算法的好坏在很大程度上影响存储功能。Flash存储管理已成为研究Flash设备的重要课题。近两年随着Flash工艺的改进,不但原有的单层单元(SLC)的Flash在访问控制上有了变化,还出现了使用多层单元(MLC)新型工艺的Flash,并且将很快替代单层单元(SLC)Flash。新型的Nand-Flash在访问方式上和内在特性上都与传统的Flash有很大不同,传统的Flash存储管理算法在速度和稳定性上都已不能适应新型Flash。本文在SLC-Flash管理算法的基础上,分析了MLC-NandFlash的特性,提出了3种适合不同应用场合的Flash管理系统,其中使用了双向标签、块内快速物理查找表,页面缓存、一次写入等几个改进关键模块的结构和算法。经过测试,本文优化过的管理模块在速度,稳定性和抗衰老性上都有较大的提高。
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